技術(shù)編號(hào)：8363188
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。隨著半導(dǎo)體器件的不斷小型化，逐漸采用高K柵介質(zhì)/金屬柵配置代替?zhèn)鹘y(tǒng)的S12 /多晶娃柵配置。與之相適應(yīng)，后柵(gate last)工藝正逐漸替代先柵(gate first)工藝。在后柵工藝中，先利用犧牲柵堆疊來進(jìn)行器件制造處理。隨后，去除犧牲柵，并代之以真正的柵堆疊。然而，犧牲柵去除之后留下的空間正變得越來越小，因此要在其中填充真正的柵堆疊變得越來越困難。發(fā)明內(nèi)容本公開的目的至少部分地在于提供一種，以改善柵堆疊的填充。根據(jù)本公開的一個(gè)方面，提供了一種制造半...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。