技術(shù)編號(hào)：8341128
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 隨著半導(dǎo)體器件的不斷小型化，常規(guī)的Si02 /多晶硅柵堆疊難以滿足器件性能需 求。為此，提出了高K柵介質(zhì)/金屬柵結(jié)構(gòu)。為避免高K柵介質(zhì)/金屬柵結(jié)構(gòu)受到半導(dǎo)體 器件制造工藝中熱處理的影響而性能退化，提出了替代柵工藝。 例如，圖1示出了半導(dǎo)體器件100的示例制造工藝。如圖1所示，在襯底102上形 成犧牲柵主體104。這種犧牲柵主體104例如可以通過在襯底102表面上淀積一層多晶硅， 并對(duì)其進(jìn)行反應(yīng)離子刻蝕（RIE)來形成。由于工藝的限制，得到的犧牲柵主體10...
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