技術編號：8320675
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。隨著電子產(chǎn)品向更輕，更薄的方向演化，芯片的面積也越來越小，封裝的厚度越來越薄，基于TSV(娃穿孔,Through Si via)的3D封裝可以解決這一問題。為了提高TSV的性能，TSV的深度需要盡量小，它帶來的好處是工藝時間減短、填充難度降低，寄生電感和電阻下降，封裝尺寸可以進一步減小。但是挑戰(zhàn)是減薄工藝的難度增加。對于Via first或者Via middle的工藝步驟，TSV刻蝕和TSV填充是先于硅片減薄工藝的，在金屬填充工藝和整個器件工藝結(jié)束以后，再...
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