技術(shù)編號(hào)：8283734
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體器件特征尺寸在不斷減小，各種新材料和新器件結(jié)構(gòu)也在不斷出現(xiàn)并實(shí)用化，半導(dǎo)體器件正由微米時(shí)代邁向納米時(shí)代。量子阱、量子線和量子點(diǎn)器件在納米電子、光電子領(lǐng)域有著越來越廣闊的應(yīng)用前景。量子點(diǎn)(quantumdots，QDs)是由有限數(shù)目的原子組成，三個(gè)維度尺寸均在納米數(shù)量級(jí)。量子點(diǎn)一般為球形或類球形，是由半導(dǎo)體材料(通常由IIB?VIA或IIIA?VA元素組成)制成的、穩(wěn)定直徑在2?20nm的納米粒子。量子點(diǎn)是在納米尺度上的原子和分子...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。