技術(shù)編號：8262390
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。在一般面板級扇出(fan-out)型半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)中，由于被動元件的厚度(一般約為330 μ m)與主動元件(芯片)的厚度(一般約為100?150 μ m)的差異，在封裝過程中須配合被動元件的厚度而使封裝結(jié)構(gòu)整體厚度增加，不僅限制了半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的尺寸，同時也違背了現(xiàn)代電子設(shè)備追求輕、薄、短、小的趨勢。此外，由于各元件間的材料不同而具有不同的楊氏系數(shù)(Young’s modulus),使得半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)在受熱時產(chǎn)生的形變量不同。但一般半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)中位在支...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。