技術(shù)編號(hào)：8262149
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種MOSFET結(jié)構(gòu)及其制造方法。更具體而言，涉及一種用于降低關(guān)態(tài)漏電流的MOSFET結(jié)構(gòu)及其制造方法。技術(shù)背景隨著器件越來越薄，器件關(guān)態(tài)時(shí)由帶帶隧穿引發(fā)的柵致漏極泄漏(GIDL)電流越來越大，它已經(jīng)成為嚴(yán)重限制MOSFET以及FLASH存儲(chǔ)器的問題之一。GIDL電流本身便引入了熱空穴注入，它使得空穴陷落在柵氧化層中從而導(dǎo)致器件的不穩(wěn)定性以及能導(dǎo)致柵氧層擊穿。因此隨著氧化層厚度的減小，關(guān)態(tài)氧化層的可靠性將會(huì)越來越重要，此方面已經(jīng)引發(fā)了越來越多的關(guān)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。