技術編號：8261374
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。圖1是現(xiàn)有技術的閃存的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，通常的閃存(Flash)包含閃存陣列11、控制器12和電壓調(diào)制器13。Flash存儲器是一種非易失類存儲器，通過浮柵(FG)中的電子來實現(xiàn)信息的存儲。當通過編程(寫)操作在浮柵中存儲更多的電子時，存儲單元的閾值電壓升高；當通過擦除操作使電子離開浮柵時，存儲單元的閾值電壓相應降低。其中，控制器12使用依次提高的階梯電壓檔位控制所述閃存陣列的編程或擦除。閃存單元在編程和擦除操作中，為了保證寫和擦除的速度不會越來越慢...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。
該類技術無源代碼，用于學習原理，如您想要源代碼請勿下載。