技術(shù)編號：8207869
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種碳化硅半導(dǎo)體器件和制造該碳化硅半導(dǎo)體器件的方法，尤其是涉及具有柵電極的碳化硅半導(dǎo)體器件和制造這種碳化硅半導(dǎo)體器件的方法。背景技術(shù)日本專利特開N0.10-242458(專利文獻I)公開了一種MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該MOSFET包括具有第一導(dǎo)電類型的漂移區(qū)；具有第二導(dǎo)電類型的且在漂移區(qū)的一個主表面中選擇性地形成的基區(qū)；和具有第一導(dǎo)電類型的且在基區(qū)中選擇性地形成的源區(qū)。該MOSFET還包括布置在基區(qū)的側(cè)表面處的、具有第一導(dǎo)...
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