技術編號：8198218
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。技術領域本發(fā)明涉及III族氮化物單晶的培養(yǎng)方法。背景技術氮化鎵(GaN)薄膜結晶作為優(yōu)異的藍色發(fā)光元件受到注目，在發(fā)光二極管中得到實用化，也被期待作為光拾波器用的藍紫色半導體激光元件。近年來，也被作為構成移動電話等中使用的高速IC片等電子設備的半導體膜受到注目。 有報告一種方法,使GaN或AIN的籽晶膜堆積在藍寶石等的單晶基板上來得到模板基板，在模板基板上培養(yǎng)GaN單晶(日本專利特開2000-327495號公報)。 "Applied Physics letters" Volume 84, Number 20， 第4...
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