技術(shù)編號：8192539
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明目的是通過從添加有礦化劑的超臨界含氨溶劑結(jié)晶來從含鎵原料得到塊狀單晶含鎵氮化物的方法。在根據(jù)本發(fā)明的工藝中得到的產(chǎn)物中的雜質(zhì)至少部份被去除并且該產(chǎn)物被用做，例如，用于制造光電器件的外延襯底。消除雜質(zhì)和/或減少其在塊狀單晶含鎵氮化物內(nèi)含量的方法以及獲得由塊狀單晶含鎵氮化物制作的襯底也是本發(fā)明的目的。背景技術(shù) 基于XIII族元素氮化物，如AlN、GaN的光電器件通常制造在不同于沉積氮化物層(所謂的異質(zhì)外延)的藍(lán)寶石或SiC襯底上。在最常用的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)法中，是從氣相的氨與金屬有機(jī)化合...
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