技術(shù)編號(hào)：8191732
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種通過使積存于坩堝內(nèi)的硅熔融液?jiǎn)蜗蚰虂碇圃於嗑Ч桢V的多晶硅錠制造裝置、多晶硅錠的制造方法及通過該制造方法得到的多晶硅錠。本申請(qǐng)主張基于2010年7月22日在日本申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)2010-164774號(hào)的優(yōu)先權(quán)，其內(nèi)容援引于本說明書中。背景技術(shù)為了制造多晶硅晶片，例如如專利文獻(xiàn)I中所記載，首先，將多晶硅錠切片為預(yù)定的厚度來制造多晶硅切片。接著，通過將該多晶硅切片切取成預(yù)定尺寸來制造多晶硅晶片。該多晶硅晶片主要作為太陽(yáng)能電池用基板的原材料而被利用。在太陽(yáng)能電池中，作為太陽(yáng)能電池用基板的原材料的多...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。