技術(shù)編號：8153514
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及區(qū)熔單晶硅生長設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種雙向平動機構(gòu)及區(qū)熔單晶爐。背景技術(shù)區(qū)熔單晶硅在被應(yīng)用到微波通訊、雷達、導(dǎo)航、測控、醫(yī)學(xué)、高功率電站等領(lǐng)域之前，都需要經(jīng)過摻雜，調(diào)整晶體內(nèi)部的電阻率。目前使用的摻雜技術(shù)主要為中子嬗變摻雜和氣相摻雜。中子嬗變摻雜的準(zhǔn)確率高，但是摻雜是一個核反應(yīng)過程，還需要消除放射性處理及熱處理，增加工序的同時提高了區(qū)熔硅單晶的成本。另外的一種摻雜方法是氣相摻雜，直接在晶體生長的過程中將摻雜劑通過保護氣體摻雜到晶體內(nèi)部。但是，目前氣相摻雜電阻率的端面均一性不是特別好，主要原因之一...
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