技術(shù)編號(hào)：8119842
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及晶體材料技術(shù)領(lǐng)域，具體指在氧化鋅基體材料中獲得定向排列 的金屬納米鋅的制備方法。技術(shù)背景分散在半導(dǎo)體或絕緣體材料表面的高密度金屬納米顆粒，具有重要的應(yīng)用 價(jià)值，是目前研究的熱點(diǎn)。如具有較大的三階非線性光學(xué)極化率，與其體相材 料相比往往有較大程度的提高，而且具有較快的響應(yīng)速度。這種材料還能用于制造下一代更先進(jìn)的低能耗高存儲(chǔ)密度的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器(nonvolatile memory device)。制備這樣的納米材料體系的關(guān)鍵是需要控制金屬納米顆粒的大小、形狀、 密度、在基體中的分布、取向和包埋深度。...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。