技術(shù)編號(hào)：8094864
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。專利摘要本發(fā)明提供一種通過制備具有N面錐形結(jié)構(gòu)的襯底實(shí)現(xiàn)自剝離并獲得自支撐GaN單晶的方法，包括以下步驟(1)在襯底上外延生長(zhǎng)GaN薄膜，形成GaN外延片；(2)對(duì)GaN外延片使用化學(xué)濕法腐蝕進(jìn)行Ga面腐蝕形成到達(dá)襯底的腐蝕坑；(3)制備在GaN的N面具有頂點(diǎn)朝向襯底的錐形結(jié)構(gòu)的襯底；(4)把制備好的GaN外延片放入水中以停止錐形結(jié)構(gòu)的形成；(5)將GaN外延片通過氫化物氣相外延生長(zhǎng)GaN單晶，(6)GaN單晶結(jié)束后經(jīng)過降溫過程，實(shí)現(xiàn)從襯底上自剝離，得到自支撐GaN單晶。該方法具有成本低、簡(jiǎn)單易行的特點(diǎn)，能夠獲得高...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。