技術(shù)編號(hào)：8075421
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。專利摘要本發(fā)明涉及，包括以下步驟將SiC原料放置于坩堝中，微晶沉積收集器固定于坩堝蓋內(nèi)側(cè)，擰合坩堝后，置于晶體生長爐中；對(duì)晶體生長體系抽真空至＜5×10-3Pa，再?zèng)_入1～20000Pa氣氛氣體；提升晶體生長體系的溫度，使原料區(qū)的溫度為1800～2200℃，坩堝蓋處微晶沉積收集器的溫度為1750～2100℃，開始進(jìn)行微晶生長；在微晶生長0.5～2小時(shí)后，關(guān)閉晶體生長爐電源。本發(fā)明不涉及任何其它前驅(qū)物和催化劑，且原料區(qū)與沉積生長區(qū)分離，獲得SiC微晶尺寸在10～50微米范圍內(nèi)可調(diào)，且相互分離、呈現(xiàn)多面體形貌，并且微晶...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。