技術(shù)編號：8069216
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。專利摘要一種光電子器件，包括具有有源區(qū)的層序列（1），所述有源區(qū)發(fā)射初級電磁輻射；和轉(zhuǎn)換材料，所述轉(zhuǎn)換材料設(shè)置在所述初級電磁輻射的光路中并且至少部分地將所述初級電磁輻射轉(zhuǎn)換為次級電磁輻射。所述轉(zhuǎn)換材料包括第一發(fā)光材料（6-1），所述第一發(fā)光材料具有通常的組成成分A3B5O12，其中A從如下組中選擇，所述組包括Y、Lu、Gd和Ce以及它們的組合，并且其中B包括由Al和Ga構(gòu)成的組合；并且包括第二發(fā)光材料（6-2），所述第二發(fā)光材料（6-2）從如下組中選擇，所述組包括M1AlSiN3·Si2N2O、M3AlSiN3、M...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。