技術編號：8068444
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。專利摘要使用晶種基板、通過助熔劑法制造氮化鎵層。晶種基板(8A)具備支撐基板(1)、互相分離的多個晶種層(4A)、設置于晶種層(4A)與支撐基板之間的低溫緩沖層(2)以及露出于鄰接的晶種層(4A)的間隙的露出層(3)，所述多個晶種層由氮化鎵單晶構成，所述低溫緩沖層由第13族金屬氮化物構成，所述露出層由氮化鍋單晶或氮化鋁鎵單晶構成。在晶種層上通過助熔劑法培養(yǎng)氮化鎵層。專利說明氮化鎵層的制造方法及該方法中使用的晶種基板技術領域[0001]本發(fā)明涉及氮化鎵層的培養(yǎng)方法及該方法中使用的晶種基板。背景技術[0002]氮化鎵(...
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