技術(shù)編號(hào)：8062263
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一類壓電單晶及其生長(zhǎng)方法，更確切地說(shuō)是用同族元素替代Sr3NbGa3Si2O14(SNGS)單晶體中的Sr，以形成一系列混合型的壓電晶體，通式為Sr3-xMexNbGa3Si2O14，其中Me為Ca或Ba，x介于0.1-2.9之間。并采用坩堝下降法生長(zhǎng)了這類晶體。屬于單晶生長(zhǎng)領(lǐng)域。背景技術(shù) 硅酸鎵鑭La3Ga5SiO14(langasiteLGS)系列壓電單晶是1990年代中期開始陸續(xù)發(fā)現(xiàn)的一系列新型壓電材料，在聲表面波和體波應(yīng)用方面具有很多優(yōu)點(diǎn)，因此，LGS系列晶體迅速成為壓電領(lǐng)域廣泛關(guān)注的對(duì)象...
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