技術(shù)編號：8051720
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本項(xiàng)發(fā)明屬于光電技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及。背景技術(shù)GaN基II1-V族氮化物是重要的直接帶隙的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在藍(lán)、綠、紫、紫外光及白光發(fā)光二極管(LED)、短波長激光二極管(LD)、紫外光探測器和功率電子器件等光電子器件和電子器件以及特殊條件下的半導(dǎo)體器件等領(lǐng)域中有廣泛的應(yīng)用前景。由于極高的熔解溫度和較高的氮?dú)怙柡驼魵鈮?，使得制備大面積GaN單晶非常困難，不得不在大失配的藍(lán)寶石或碳化硅等襯底上異質(zhì)外延生長GaN基器件。雖然這種基于緩沖層技術(shù)的異質(zhì)外延技術(shù)取得了巨大的成功，但是這種方法并不能充分發(fā)揮GaN基半導(dǎo)...
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