技術(shù)編號(hào)：8044961
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種，屬于復(fù)合納米微晶材料技術(shù)領(lǐng)域。背景技術(shù)ZnO是一種新型的II - VI族直接帶隙寬禁帶氧化物半導(dǎo)體材料，室溫下禁帶寬度(Eg =3. 2eV )，與GaN等其它光電子材料相比，具有低介電常量、大光電耦合率、高的化學(xué)穩(wěn)定性以及優(yōu)良的壓電、光電特性，并且SiO的激子結(jié)合能高達(dá)60meV，是一種在紫外和藍(lán)光發(fā)射方面很有發(fā)展前景的新型光電子材料。在太陽能電池、液晶顯示器、氣體傳感器、紫外半導(dǎo)體激光器以及透明導(dǎo)電薄膜等方面具有廣泛的應(yīng)用前景。納米SiO的性能隨著摻雜組分和制備條件的不同會(huì)表現(xiàn)出很大的差...
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