技術(shù)編號(hào):8022250
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種減少污染物含量的單晶硅晶體的制備方法及設(shè)備。更具體地,本發(fā)明涉及一種單晶硅晶體的制備方法和設(shè)備,其中,在Czochralski晶體提拉設(shè)備的晶體生長(zhǎng)室中的結(jié)構(gòu)石墨部件已經(jīng)涂敷了兩個(gè)防護(hù)層,包括第一防護(hù)層,如碳化硅或玻璃碳,和硅第二防護(hù)層,或者涂敷一個(gè)包含碳化硅和硅混合物的單一防護(hù)層。作為大多數(shù)半導(dǎo)體元件制造過(guò)程的原料,單晶硅通常用所謂提拉法(Czochralski)法制備。在這種方法中,把多晶的硅(“多晶硅”)裝入坩堝中,熔化所述多晶硅,把籽晶浸入熔融的硅中,通過(guò)緩慢的提拉使單晶硅錠長(zhǎng)到要求的...
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