技術(shù)編號：8018985
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種金屬有機物氣相外延(MOCVD)制備高熒光效率的銦鎵氮(InGaN)單晶薄膜的生長技術(shù)，并直接和含InGaN的光發(fā)射二極管(LED)和激光器(LD)等光電器件的制備技術(shù)有關(guān)。InGaN 三元半導(dǎo)體材料具有從1.95eV(InN)～3.4eV(GaN)的直接帶隙，其發(fā)光波長覆蓋了整個可見光區(qū)。它被用作氮化物籃光和綠光的高亮度發(fā)光二極管(LEDs)和激光器(LDs)的有源區(qū)，有著廣泛的應(yīng)用前景。InGaN材料的生長開始于1972年，當時，K.Osemuro等人[見文獻K.Osamura,K.Nak...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。