技術(shù)編號(hào)：7696502
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制造方法，特別涉及一種包括門電極和暈環(huán)離子注入?yún)^(qū)的，其中，門電極具有T型結(jié)構(gòu)，由具有低門阻抗和低寄生電容的第一和第二門電極組成，并且在暈環(huán)離子注入?yún)^(qū)中可以有效抑制短通道效應(yīng)，并且該方法能夠執(zhí)行大角度離子注入，而無需擴(kuò)大門間距。背景技術(shù) 在采用MOS晶體管的半導(dǎo)體器件中，門電極的臨界尺寸(criticaldimension，CD)對MOS晶體管的屬性具有很多影響。隨著半導(dǎo)體器件變得高度集成化，門電極的CD變得更小。結(jié)果，使用一...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。