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技術(shù)編號(hào)：7535726

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本發(fā)明涉及功率半導(dǎo)體裝置，尤其涉及作為開關(guān)器件使IGBT和MOSFET并行動(dòng)作而使用的功率半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù)一直以來,在 IGBT( insulated gate bipolar transistor,絕緣柵雙極性晶體管)等開關(guān)裝置中，以降低開關(guān)損耗為目的研究了將MOSFET (MOS field effect transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)與IGBT并聯(lián)連接的結(jié)構(gòu)。例如在專利文獻(xiàn)I的圖5中，公開了并聯(lián)連接的IGBT和MOSFET的...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。

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• 葛老師：1.機(jī)器人技術(shù) 2.計(jì)算機(jī)輔助技術(shù)