技術(shù)編號：7517509
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種提高了抗軟錯誤能力的信號傳輸電路、包括此信號傳輸電路的 半導(dǎo)體器件、此提高了抗軟錯誤能力的半導(dǎo)體電路器件的設(shè)計方法及實現(xiàn)此設(shè)計方法的 CAD(computer aided design 計算機(jī)輔助設(shè)計)裝置。背景技術(shù)以下情況已被公知，S卩，因包含在LSI (Large Scale Integration 大規(guī)模集成電 路)的封裝及布線等中的放射性同位元素在衰變時所產(chǎn)生的α線、來自宇宙射線的中子 射線等而導(dǎo)致在LSI的半導(dǎo)體電路內(nèi)產(chǎn)生電噪聲，從...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。