技術(shù)編號：7513990
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種集成電路的設(shè)計構(gòu)造，尤其涉及一種用于實現(xiàn)納米級延時的電路結(jié)構(gòu)。 背景技術(shù)通過控制流過緩沖器的電流大小來控制電路的延時，延時精度可調(diào)，是目前較為 常見的控制發(fā)式。緩沖器的充、放電電流，由兩個NMOS管組成的電流鏡提供，電流鏡作為 CMOS集成電路的主要基本單元之一，廣泛應(yīng)用于各種模擬集成電路設(shè)計。最為常見的是通 過Hspice的仿真來確定MOS晶體管的尺寸大小。發(fā)明內(nèi)容 本發(fā)明的目的就是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，提供一種用于實現(xiàn)納米 級...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。