技術編號：7509952
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及內有場效應晶體管(FETField Effect Transistor)的半導體集成電路。我們希望降低半導體集成電路所消耗的功率。特別是對電池容量有限的攜帶型機器，就更希望它里面所使用的半導體集成電路低功耗化了。在美國專利第5644266號(發(fā)行日1997年7月1日)及PCT國際公開公報WO97/32399號(公開日1997年9月4日)中，分別記載著這樣的技術，即通過改變金屬氧化物半導體(MOSMetal Oxide Semiconductor)...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。
該類技術注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學習。