技術(shù)編號(hào)：7441949
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件和使用該半導(dǎo)體器件的電源器件，并且涉及例如可有效應(yīng) 用于將高電壓轉(zhuǎn)換成低電壓的開(kāi)關(guān)電源器件的技術(shù)。背景技術(shù)例如在專利文獻(xiàn)1 (日本未審專利公開(kāi)No. 2008-17620)(參照?qǐng)D1 (a)和圖1 (b) 以及圖2(a)和圖2(b))中已經(jīng)描述了如下的半導(dǎo)體器件，其中將功率M0SFET、用于驅(qū)動(dòng)該 功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路以及用于向該驅(qū)動(dòng)電路傳送開(kāi)關(guān)控制信號(hào)的控制電路安裝在一個(gè) 封裝中。該半導(dǎo)體器件能夠進(jìn)行多相操作(參照?qǐng)D15)。在專...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。