技術(shù)編號(hào)：7265852
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提出了一種，將待檢測(cè)點(diǎn)平均分布于晶圓同心圓上，在對(duì)一待檢測(cè)點(diǎn)檢測(cè)完畢后，只需通過半導(dǎo)體晶圓自轉(zhuǎn)一定角度便能夠達(dá)到下一待檢測(cè)點(diǎn)，并對(duì)其進(jìn)行檢測(cè)，無需半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行多次位移，因此能夠降低測(cè)量時(shí)間，提高生產(chǎn)效率。專利說明 [0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種。 背景技術(shù) [0002]半導(dǎo)體晶圓在制造過程中，需要形成不同薄膜層，每一層薄膜的厚度也不盡相同。為了精確的實(shí)現(xiàn)電路功能，需要精確控制形成在半導(dǎo)體晶圓表面的每一層薄膜的厚度，以...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。