測(cè)量方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提出了一種測(cè)量方法，將待檢測(cè)點(diǎn)平均分布于晶圓同心圓上，在對(duì)一待檢測(cè)點(diǎn)檢測(cè)完畢后，只需通過(guò)半導(dǎo)體晶圓自轉(zhuǎn)一定角度便能夠達(dá)到下一待檢測(cè)點(diǎn)，并對(duì)其進(jìn)行檢測(cè)，無(wú)需半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行多次位移，因此能夠降低測(cè)量時(shí)間，提高生產(chǎn)效率。
【專(zhuān)利說(shuō)明】 測(cè)量方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種測(cè)量方法。

【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體晶圓在制造過(guò)程中，需要形成不同薄膜層，每一層薄膜的厚度也不盡相同。為了精確的實(shí)現(xiàn)電路功能，需要精確控制形成在半導(dǎo)體晶圓表面的每一層薄膜的厚度，以防止形成的薄膜厚度太厚或太薄導(dǎo)致半導(dǎo)體晶圓不符合要求，影響半導(dǎo)體晶圓的良率。因此，為了能夠監(jiān)控形成薄膜的厚度，通常會(huì)在薄膜形成后對(duì)其進(jìn)行厚度的測(cè)量，若發(fā)現(xiàn)厚度異常，則應(yīng)立馬做出相應(yīng)的改進(jìn)措施。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，測(cè)量厚度通常采用光發(fā)射器將橢圓偏正光射入半導(dǎo)體晶圓的待檢測(cè)點(diǎn)，再由光接收器接收由待檢測(cè)點(diǎn)反射回的橢圓偏正光，利用光的透射與反射計(jì)算出薄膜的厚度。為了能夠檢測(cè)出半導(dǎo)體晶圓表面整體的薄膜厚度，需要根據(jù)不同的工藝需求，在半導(dǎo)體晶圓上設(shè)定需要多個(gè)待檢測(cè)點(diǎn)，例如9個(gè)、21個(gè)或者49個(gè)，從而能夠更加準(zhǔn)確的得出薄膜厚度的分布。
[0004]請(qǐng)參考圖1，所述半導(dǎo)體晶圓10的表面設(shè)有多個(gè)待檢測(cè)點(diǎn)11，當(dāng)其中一個(gè)待檢測(cè)點(diǎn)11測(cè)量完畢時(shí)，則需要轉(zhuǎn)移至下一個(gè)待檢測(cè)點(diǎn)11，所述半導(dǎo)體晶圓10放置于檢測(cè)臺(tái)(圖未示出)上，所述檢測(cè)臺(tái)僅能夠沿水平線或者垂直于水平線方向移動(dòng)，因此，為了到下一個(gè)檢測(cè)點(diǎn)11，則所述檢測(cè)臺(tái)必須先沿水平方向移動(dòng)一定位移，再沿垂直于水平線方向移動(dòng)一定位移，然后才能到達(dá)下一檢測(cè)點(diǎn)11進(jìn)行厚度測(cè)量，以此類(lèi)推，所述檢測(cè)臺(tái)均需要進(jìn)行兩次位移才能對(duì)后續(xù)檢測(cè)點(diǎn)11進(jìn)行測(cè)量。然而，該種測(cè)量方法十分耗時(shí)，主要測(cè)量時(shí)間均浪費(fèi)在所述檢測(cè)臺(tái)的移動(dòng)上，對(duì)半導(dǎo)體晶圓的每小時(shí)產(chǎn)量(WPH)有極大的影響。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種測(cè)量方法，能夠降低測(cè)量時(shí)間，提高生產(chǎn)效率。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出了一種測(cè)量方法，包括步驟:
[0007]定義半導(dǎo)體晶圓待檢測(cè)點(diǎn)的個(gè)數(shù)；
[0008]將所述待檢測(cè)點(diǎn)均勻分布在晶圓同心圓上，所述晶圓同心圓與所述半導(dǎo)體晶圓共圓心；
[0009]測(cè)量完一待檢測(cè)點(diǎn)之后，所述半導(dǎo)體晶圓自轉(zhuǎn)預(yù)定角度到達(dá)下一待檢測(cè)點(diǎn)。
[0010]進(jìn)一步的，所述晶圓同心圓的個(gè)數(shù)大于等于I。
[0011]進(jìn)一步的，當(dāng)所述晶圓同心圓的個(gè)數(shù)大于I且位于同一晶圓同心圓上的待檢測(cè)點(diǎn)檢測(cè)完時(shí)，所述半導(dǎo)體晶圓平移至下一晶圓同心圓上的待檢測(cè)點(diǎn)進(jìn)行檢測(cè)。
[0012]進(jìn)一步的，所述半導(dǎo)體晶圓設(shè)置于一檢測(cè)臺(tái)上，所述檢測(cè)臺(tái)帶動(dòng)所述半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行自轉(zhuǎn)或平移。
[0013]進(jìn)一步的，所述半導(dǎo)體晶圓的表面形成有薄膜，所述測(cè)量方法用于測(cè)量所述薄膜的厚度。
[0014]進(jìn)一步的，所述測(cè)量方法采用光學(xué)法測(cè)量薄膜的厚度。
[0015]進(jìn)一步的，所述光學(xué)法米用的光為橢圓偏正光。
[0016]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果主要體現(xiàn)在:將待檢測(cè)點(diǎn)平均分布于晶圓同心圓上，在對(duì)一待檢測(cè)點(diǎn)檢測(cè)完畢后，只需通過(guò)半導(dǎo)體晶圓自轉(zhuǎn)一定角度便能夠達(dá)到下一待檢測(cè)點(diǎn)，并對(duì)其進(jìn)行檢測(cè)，無(wú)需半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行多次位移，因此能夠降低測(cè)量時(shí)間，提高生產(chǎn)效率。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行測(cè)量的示意圖；
[0018]圖2-圖3為本發(fā)明一實(shí)施例中對(duì)半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行測(cè)量的示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0019]下面將結(jié)合示意圖對(duì)本發(fā)明的測(cè)量方法進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0020]為了清楚，不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗鼈儠?huì)使本發(fā)明由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開(kāi)發(fā)中，必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開(kāi)發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開(kāi)發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi)時(shí)間的，但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)僅僅是常規(guī)工作。
[0021]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說(shuō)明和權(quán)利要求書(shū)，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的目的。
[0022]請(qǐng)參考圖2，在本實(shí)施例中，提出了一種測(cè)量方法，包括步驟:
[0023]定義半導(dǎo)體晶圓100上待檢測(cè)點(diǎn)110的個(gè)數(shù)；
[0024]根據(jù)不同的工藝要求，可以定義多個(gè)的待檢測(cè)點(diǎn)110，例如6個(gè)、12個(gè)等，定義的待檢測(cè)點(diǎn)110個(gè)數(shù)越多，測(cè)量出的數(shù)據(jù)越準(zhǔn)確，相應(yīng)的，測(cè)量時(shí)間也就越久，因此，待檢測(cè)點(diǎn)110的個(gè)數(shù)可以由不同需求來(lái)定義。
[0025]將所述待檢測(cè)點(diǎn)110均勻分布在晶圓同心圓120上，所述晶圓同心圓120與所述半導(dǎo)體晶圓100共圓心；
[0026]根據(jù)不同待檢測(cè)點(diǎn)110的個(gè)數(shù)，可以將待檢測(cè)點(diǎn)110平均分配至一個(gè)或者多個(gè)所述晶圓同心圓120上，這樣所述半導(dǎo)體晶圓100的自轉(zhuǎn)角度更大，方便設(shè)備實(shí)現(xiàn)，若自轉(zhuǎn)過(guò)小，一方面設(shè)備不易于實(shí)現(xiàn)，另一方面可能會(huì)導(dǎo)致偏差較大。
[0027]當(dāng)測(cè)量同一晶圓同心圓上的待檢測(cè)點(diǎn)110時(shí)，測(cè)量完一待檢測(cè)點(diǎn)110之后，所述半導(dǎo)體晶圓100自轉(zhuǎn)預(yù)定角度到達(dá)下一待檢測(cè)點(diǎn)110。
[0028]如圖2所示，第一晶圓同心圓121上均與分別有6個(gè)待檢測(cè)點(diǎn)110，兩個(gè)待檢測(cè)點(diǎn)110之間存在第一角度a I為60度，因此在測(cè)試完第一個(gè)待檢測(cè)點(diǎn)110后，所述半導(dǎo)體晶圓只需按照?qǐng)A心自轉(zhuǎn)a 1，即60度便能夠到達(dá)下一個(gè)待檢測(cè)點(diǎn)110進(jìn)行檢測(cè)。
[0029]若待檢測(cè)點(diǎn)110的個(gè)數(shù)較多，例如18個(gè)，如圖3所示，此時(shí)可以在第一晶圓同心圓121上均勻設(shè)置6個(gè)待檢測(cè)點(diǎn)110，在第二晶圓同心圓122上均勻設(shè)置12個(gè)待檢測(cè)點(diǎn)110，當(dāng)位于第一晶圓同心圓121上的待檢測(cè)點(diǎn)110被檢測(cè)完時(shí)，所述半導(dǎo)體晶圓100平移至第二晶圓同心圓122上的待檢測(cè)點(diǎn)110再繼續(xù)進(jìn)行檢測(cè)，此時(shí)也僅需多平移一次；在對(duì)所述第二晶圓同心圓122上的待檢測(cè)點(diǎn)110進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，檢測(cè)完一個(gè)待檢測(cè)點(diǎn)110之后，只需所述半導(dǎo)體晶圓100自轉(zhuǎn)α 2，即30度便能夠到達(dá)下一個(gè)待檢測(cè)點(diǎn)110上。
[0030]在本實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體晶圓100設(shè)置于一檢測(cè)臺(tái)(圖未示出)上，所述檢測(cè)臺(tái)帶動(dòng)所述半導(dǎo)體晶圓100進(jìn)行自轉(zhuǎn)或平移；所述半導(dǎo)體晶圓100的表面形成有薄膜，所述測(cè)量方法用于測(cè)量所述薄膜的厚度；所述測(cè)量方法采用光學(xué)法測(cè)量薄膜的厚度；所述光學(xué)法采用的光為橢圓偏正光。
[0031]綜上，在本發(fā)明實(shí)施例提供的測(cè)量方法中，將待檢測(cè)點(diǎn)平均分布于晶圓同心圓上，在對(duì)一待檢測(cè)點(diǎn)檢測(cè)完畢后，只需通過(guò)半導(dǎo)體晶圓自轉(zhuǎn)一定角度便能夠達(dá)到下一待檢測(cè)點(diǎn)，并對(duì)其進(jìn)行檢測(cè)，無(wú)需半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行多次位移，因此能夠降低測(cè)量時(shí)間，提高生產(chǎn)效率。
[0032]上述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不對(duì)本發(fā)明起到任何限制作用。任何所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的技術(shù)方案的范圍內(nèi)，對(duì)本發(fā)明揭露的技術(shù)方案和技術(shù)內(nèi)容做任何形式的等同替換或修改等變動(dòng)，均屬未脫離本發(fā)明的技術(shù)方案的內(nèi)容，仍屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種測(cè)量方法，包括步驟: 定義半導(dǎo)體晶圓待檢測(cè)點(diǎn)的個(gè)數(shù)； 將所述待檢測(cè)點(diǎn)均勻分布在晶圓同心圓上，所述晶圓同心圓與所述半導(dǎo)體晶圓共圓心; 當(dāng)測(cè)量同一晶圓同心圓上的待檢測(cè)點(diǎn)時(shí)，測(cè)量完一待檢測(cè)點(diǎn)之后，所述半導(dǎo)體晶圓自轉(zhuǎn)預(yù)定角度到達(dá)下一待檢測(cè)點(diǎn)。
2.如權(quán)利要求1所述的測(cè)量方法，其特征在于，所述晶圓同心圓的個(gè)數(shù)大于等于1。
3.如權(quán)利要求2所述的測(cè)量方法，其特征在于，當(dāng)所述晶圓同心圓的個(gè)數(shù)大于1且位于同一晶圓同心圓上的待檢測(cè)點(diǎn)檢測(cè)完時(shí)，所述半導(dǎo)體晶圓平移至下一晶圓同心圓上的待檢測(cè)點(diǎn)進(jìn)行檢測(cè)。
4.如權(quán)利要求1所述的測(cè)量方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體晶圓設(shè)置于一檢測(cè)臺(tái)上，所述檢測(cè)臺(tái)帶動(dòng)所述半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行自轉(zhuǎn)或平移。
5.如權(quán)利要求1所述的測(cè)量方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體晶圓的表面形成有薄膜，所述測(cè)量方法用于測(cè)量所述薄膜的厚度。
6.如權(quán)利要求5所述的測(cè)量方法，其特征在于，所述測(cè)量方法采用光學(xué)法測(cè)量薄膜的厚度。
7.如權(quán)利要求6所述的測(cè)量方法，其特征在于，所述光學(xué)法采用的光為橢圓偏正光。
【文檔編號(hào)】H01L21/66GK104465431SQ201310438649
【公開(kāi)日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2013年9月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月23日
【發(fā)明者】許亮 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司