技術(shù)編號(hào)：7265222
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置的制造方法及半導(dǎo)體裝置。本發(fā)明提供一種多個(gè)半導(dǎo)體元件分別具有所期望的特性且可靠性高的半導(dǎo)體裝置、以及可容易地制造該半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體裝置的制造方法。在柵極絕緣膜6的上表面上，遍及整個(gè)表面形成厚度為3～30nm的柵電極用金屬膜M。接著，在柵電極用金屬膜M的上表面中僅屬于nFET區(qū)域Rn內(nèi)的部分上，遍及整個(gè)表面形成與柵電極用金屬膜M為不同種材料、且厚度為10nm以下的n側(cè)蓋層8A。其后進(jìn)行熱處理，使n側(cè)蓋層8A向其正下方的柵電極用金屬膜...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。