技術(shù)編號(hào)：7264857
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種以FeNi合金或FeNiP合金作為反應(yīng)界面層的柱狀凸點(diǎn)封裝結(jié)構(gòu)，屬于半導(dǎo)體器件封裝領(lǐng)域。該封裝結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體襯底、導(dǎo)電金屬柱、氧化層、反應(yīng)界面層和焊料凸點(diǎn)；所述半導(dǎo)體襯底的上表面設(shè)有焊盤和鈍化層，焊盤開口上方設(shè)有導(dǎo)電金屬柱，其材質(zhì)為銅或銅合金；所述導(dǎo)電金屬柱的側(cè)面裹有氧化層，導(dǎo)電金屬柱的上方設(shè)有反應(yīng)界面層，反應(yīng)界面層的材料為鐵鎳合金或鐵鎳磷合金；所述反應(yīng)界面層上方設(shè)有焊料凸點(diǎn)，所述焊料凸點(diǎn)的材料為錫或錫合金。本發(fā)明利用FeNi合金或FeNi...
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