技術(shù)編號：7262850
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明提供一種實現(xiàn)低導通電阻化以及高耐壓化的半導體裝置。半導體裝置包含第1半導體區(qū)域、第2半導體區(qū)域、第3半導體區(qū)域、第4半導體區(qū)域、第5半導體區(qū)域、第1電極、第2電極以及第3電極。第2半導體區(qū)域與第1半導體區(qū)域相接，具有比上述第1半導體區(qū)域高的雜質(zhì)濃度。第3半導體區(qū)域與第2半導體區(qū)域相接。第4半導體區(qū)域與第3半導體區(qū)域的至少一部分相接，具有比上述第2半導體區(qū)域高的雜質(zhì)濃度。第5半導體區(qū)域設在第1半導體區(qū)域的一側(cè)。第1電極與第1半導體區(qū)域在第1方向上排列，...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。