技術(shù)編號(hào):7262619
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供一種,該半導(dǎo)體器件具有高耐壓、低接通電阻和高雪崩耐量。本發(fā)明的實(shí)施方式的中,在實(shí)施形成多個(gè)第一第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)注入層(4a)的工序、形成第一導(dǎo)電類型的第一外延層(5)的工序、和形成多個(gè)第二第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)注入層(4a)的工序之后,形成厚度比第一外延層薄的第一導(dǎo)電類型的第二外延層(6)。實(shí)施熱處理,使第一第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)注入層和第二第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)注入層結(jié)合,形成多個(gè)第二導(dǎo)電類型的柱層(4c)。在第二外延層(6)的表面上形成與第二導(dǎo)電類型柱層(4c...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。