技術(shù)編號(hào)：7260683
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種半導(dǎo)體器件包括第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底，形成在半導(dǎo)體襯底中的第二導(dǎo)電類型的第一區(qū)域，形成在第一區(qū)域中的第一導(dǎo)電類型的第二區(qū)域，形成在第二區(qū)域中的第二導(dǎo)電類型的源區(qū)，形成在第一區(qū)域中的第二導(dǎo)電類型的漏區(qū)，在漏區(qū)的側(cè)面上包括第一區(qū)域與第二區(qū)域之間的一部分邊界的第一結(jié)部分，在與第一結(jié)部分不同的位置處包括第一區(qū)域與第二區(qū)域之間的一部分邊界的第二結(jié)部分，形成在第一結(jié)上方的柵極，以及形成在第二結(jié)部分上方并且電性獨(dú)立于柵極的導(dǎo)體圖案。本發(fā)明提供的半導(dǎo)體器件能夠提高擊...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。