技術(shù)編號：7260244
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供一種。在所述半導(dǎo)體器件的形成方法中，半導(dǎo)體襯底的器件密集區(qū)上的半導(dǎo)體材料層表面位置高于器件稀疏區(qū)上的半導(dǎo)體材料層位置，因而在器件稀疏區(qū)上的半導(dǎo)體材料層上覆蓋掩膜層，向密集區(qū)上部分厚度的半導(dǎo)體材料層內(nèi)注入離子形成離子注入?yún)^(qū)域，之后去除所述離子注入?yún)^(qū)域。其中，在注入離子后，改變了離子注入?yún)^(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體材料特性，使半導(dǎo)體材料層的離子注入?yún)^(qū)域與非離子注入?yún)^(qū)域的性質(zhì)發(fā)生差異，進而在后續(xù)去除離子注入?yún)^(qū)域的過程中，對非離子注入?yún)^(qū)域的半導(dǎo)體材料層幾乎不產(chǎn)生影響，...
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