技術(shù)編號(hào)：7260178
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種堆疊納米線MOS晶體管及其制作方法，包括多個(gè)納米線堆疊，在襯底上沿第一方向延伸；多個(gè)柵極堆疊，沿第二方向延伸并且跨越了每個(gè)納米線堆疊；多個(gè)源漏區(qū)，位于每個(gè)柵極堆疊沿第二方向兩側(cè)；多個(gè)溝道區(qū)，由位于多個(gè)源漏區(qū)之間的納米線堆疊構(gòu)成；其中多個(gè)納米線堆疊為級(jí)聯(lián)的多個(gè)納米線構(gòu)成的堆疊。依照本發(fā)明的堆疊納米線MOS晶體管及其制作方法，通過多次回刻、側(cè)向刻蝕溝槽并填充，形成了質(zhì)量良好的級(jí)聯(lián)的納米線堆疊，以較低的成本充分增大導(dǎo)電溝道有效寬度，并且提高了有效...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。