技術編號：7259861
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及用于制造薄膜IIB-VIA化合物太陽能電池的方法，所述太陽能電池更具體為CdTe太陽能電池。背景技術太陽能電池和模塊是將太陽能轉換成電能的光伏(PV)裝置。最常見的太陽能電池材料是硅(Si)。但是，可以使用薄膜生長技術來制造較低成本的PV電池，所述薄膜生長技術能夠使用低成本的方法將太陽能電池品質(zhì)的多晶化合物吸收材料沉積到大面積的基底上。 包含周期表IIB族(Zn、Cd、Hg)和VI A族(O、S、Se、Te、Po)材料中的一些的IIB-VIA族化...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。