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集成功率半導體器件、其制造方法和斬波電路的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號:7259367

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本發(fā)明提供了一種有半導體本體的單片集成的功率半導體器件。半導體本體有第一和第二區(qū)域,其分別從本體的第一表面延伸直至半第二表面,第一表面的法線方向定義了垂直方向。在第一區(qū)域中形成的功率場效應晶體管結(jié)構(gòu)有本體的第一表面上的第一負載接口和第二表面上的第二負載接口。第二區(qū)域中形成的功率二級管有在本體的第一表面上的第一負載接口和第二表面上的第二負載接口,功率場效應晶體管結(jié)構(gòu)的第二負載接口和功率二級管的第二負載接口由共同的負載接口構(gòu)成。至少一個邊緣閉合結(jié)構(gòu)與第一表面相...
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