技術(shù)編號(hào)：7258624
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施例。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第一半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體襯底；在半導(dǎo)體襯底中形成的淺溝槽隔離(STI)部件；以及在半導(dǎo)體襯底上外延生長(zhǎng)的第二半導(dǎo)體材料的鰭式有源區(qū)。第一半導(dǎo)體材料具有第一晶格常數(shù)，而第二半導(dǎo)體材料具有不同于第一晶格常數(shù)的第二晶格常數(shù)。鰭式有源區(qū)包括氟物質(zhì)。本發(fā)明還提供了用于缺陷鈍化以減少FINFET器件的結(jié)泄漏的結(jié)構(gòu)和方法。專(zhuān)利說(shuō)明用于缺陷鈍化以減少FINFET器件的結(jié)泄漏的結(jié)構(gòu)和方法[0001]本發(fā)明一般地涉及半導(dǎo)體，更具體...
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