技術(shù)編號：7257860
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請公開了一種。一示例存儲器件可以包括襯底；在襯底上形成的背柵；晶體管，包括在襯底上在背柵的相對兩側(cè)形成的鰭；以及在襯底上形成的柵堆疊，所述柵堆疊與鰭相交；以及在背柵的底面和側(cè)面上形成的背柵介質(zhì)層，其中，在柵堆疊的一側(cè)，背柵介質(zhì)層在面對鰭的區(qū)域處具有減薄部分。專利說明 [0001]本公開涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，涉及一種。 背景技術(shù) [0002]浮柵晶體管結(jié)構(gòu)一種常見的閃存器件實(shí)現(xiàn)方式。然而，隨著器件的不斷小型化，浮柵中能夠存儲的電荷越來越少。...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。