技術編號：7257857
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明公開了一種。一示例器件可以包括襯底；以及在襯底上形成的柵堆疊，所述柵堆疊包括高K柵介質(zhì)層和柵導體層，其中，柵導體層包括第一金屬性材料層和第二金屬性材料層以及夾于它們之間的鋁Al層或者Al和其他金屬或金屬化合物的疊層。專利說明 [0001]本公開涉及半導體領域，更具體地，涉及一種。 背景技術 [0002]隨著大規(guī)模集成電路的晶體管特征尺寸的不斷縮小，高K柵介質(zhì)/金屬柵結(jié)構(gòu)逐漸替代傳統(tǒng)的二氧化硅/多晶硅柵結(jié)構(gòu)。為了適應器件的多閾值要求，一般采用...
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