技術(shù)編號(hào)：7257692
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種，包括襯底、襯底上的柵極、柵極兩側(cè)的源漏區(qū)，在源漏區(qū)上形成有第一接觸金屬層，第一接觸金屬層的頂面低于柵極的頂面；在第一接觸金屬層上形成有第二接觸金屬層，第二接觸金屬層的頂面高于柵極的頂面。依照本發(fā)明的，在假柵極兩側(cè)形成較低的第一接觸金屬層，去除假柵極之后再在第一接觸金屬層上形成低電阻的第二接觸金屬層，有效降低了源漏接觸電阻，并同時(shí)提高了器件可靠性。專利說(shuō)明 [0001] 本發(fā)明涉及一種，特別是涉及一種能簡(jiǎn)易實(shí)現(xiàn)低電阻率 的自對(duì)準(zhǔn)接觸結(jié)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。