技術(shù)編號：7257691
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供，包括提供半導(dǎo)體襯底，在半導(dǎo)體襯底上形成蝕刻停止層；在所述蝕刻停止層上形成致密低k介電層；在所述致密低k介電層上形成多孔低k介電層。根據(jù)本發(fā)明，可以增強(qiáng)芯片結(jié)構(gòu)中的多孔低k介電層和蝕刻停止層之間的附著性，從而減輕芯片-封裝相互作用所造成的封裝失效。專利說明 [0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝，具體而言涉及一種提高多孔低k介電層與其下方的 蝕刻停止層之間的附著性的方法。 背景技術(shù) [0002] 近幾年來，倒裝芯片（Flip-Chip)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。