技術(shù)編號：7257380
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體存儲器件，所述半導(dǎo)體存儲器件包括多個輔助圖案，所述多個輔助圖案形成在半導(dǎo)體襯底之上；多個柵極線圖案，所述多個柵極線圖案彼此平行地布置在所述多個輔助圖案之間的半導(dǎo)體襯底之上；以及氣隙，所述氣隙形成在所述多個柵極線圖案之間、以及所述多個柵極線圖案中的每個柵極線圖案與所述多個輔助圖案中的每個輔助圖案之間。專利說明[0001]相關(guān)申請的交叉引用[0002]本申請要求2012年8月8日提交的申請?zhí)枮?0-2012-0086886的韓國專利申請的...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。