技術(shù)編號(hào)：7256834
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種，其中，硅通孔互聯(lián)結(jié)構(gòu)的形成方法包括提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底具有第一區(qū)域和第二區(qū)域；刻蝕第一區(qū)域和第二區(qū)域的半導(dǎo)體襯底，在第一區(qū)域和第二區(qū)域的半導(dǎo)體襯底中形成若干分立的通孔，第一區(qū)域的通孔密度大于通孔的平均密度，且所述通孔的平均密度小于等于2%；在所述半導(dǎo)體襯底上形成金屬層，金屬層填充滿所述通孔；采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝平坦化所述金屬層，形成硅通孔互聯(lián)結(jié)構(gòu)。通過(guò)優(yōu)化第一區(qū)域的通孔密度與半導(dǎo)體襯底上通孔的平均密度的關(guān)系，防止研磨后的表面金屬的殘留。專利...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。