技術編號：7256721
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明公開了。在一些實施例中，一種制造半導體器件的方法包括部分地制造鰭式場效應晶體管(FinFET)，該FinFET包括具有第一半導電材料和設置在第一半導電材料上方的第二半導電材料的半導體鰭。去除半導體鰭的第二半導電材料的頂部，并且暴露第一半導電材料的頂部。從第二半導電材料的下方去除第一半導電材料的頂部。氧化第一半導電材料和第二半導電材料，在第一半導電材料上形成具有第一厚度的第一氧化物和在第二半導電材料上形成具有第二厚度的第二氧化物，第一厚度大于第二厚度。...
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