技術(shù)編號：7255815
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請公開了一種。一示例設(shè)置可以包括襯底；在襯底上形成的背柵；在背柵的相對兩側(cè)由襯底中半導(dǎo)體的一部分形成的鰭；以及夾于背柵與各鰭之間的背柵介質(zhì)層。專利說明[0001]本公開涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，涉及一種包括鰭(fin)結(jié)構(gòu)的。背景技術(shù)[0002]為了應(yīng)對半導(dǎo)體器件的不斷小型化所帶來的挑戰(zhàn)，如短溝道效應(yīng)等，已經(jīng)提出了多種高性能器件，例如UTBB (超薄埋入氧化物和本體)器件和FinFET (鰭式場效應(yīng)晶體管)坐寸ο[0003]UTBB器件利用ET-SOI...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。