技術(shù)編號：7255757
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種，半導(dǎo)體器件包括具有開口的層間絕緣層；形成在開口的下部中的接觸插塞，其中接觸插塞包括第一導(dǎo)電層；以及形成在開口的上部中且與接觸插塞耦接的位線，其中位線包括第二導(dǎo)電層。專利說明[0001]相關(guān)申請的交叉引用[0002]本申請要求2012年8月2日提交的韓國專利申請N0.10-2012-0084691的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用并入本文。[0003]本發(fā)明的示例性實施例涉及，更具體而言涉及一種半導(dǎo)體器件及制造所述半導(dǎo)體器件的方法。背景技術(shù)[00...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。