技術(shù)編號(hào)：7255689
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明揭示了一種，該制備方法包括提供基底，所述基底包含第一器件區(qū)以及第二器件區(qū)，所述第一器件區(qū)至少具有一非易失存儲(chǔ)單元，所述非易失存儲(chǔ)單元的柵極周圍的所述第一器件區(qū)的表面具有因制備所述非易失存儲(chǔ)單元的氮墻而形成的第一氮化物層，所述第二器件區(qū)具有自下至上依次層疊的第二器件氧化物層和第二器件多晶硅層；在所述基底上制備抗反射涂層；選擇性刻蝕所述抗反射涂層和所述第二器件多晶硅層，以形成第二器件柵極；去除剩余的所述抗反射涂層和所述第一氮化物層。本發(fā)明的制備方法能夠保...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。